1、封裝設(shè)計與開發(fā)
a)負責(zé)SiC功率器件(如MOSFET、IGBT等)的PCB封裝設(shè)計,優(yōu)化熱管理(如基板選型、散熱路徑設(shè)計)、電氣性能(低寄生電感、高電流承載能力)。
b)設(shè)計多層PCB堆疊結(jié)構(gòu)(如AMB基板+FR4混合層壓),解決SiC高熱導(dǎo)率與PCB材料熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配問題。
2、工藝開發(fā)與驗證
a)開發(fā)SiC器件與PCB的互連工藝,提升界面可靠性(如抗熱循環(huán)失效)。
b)制定PCB封裝測試方案(如熱阻測試、高頻信號完整性測試),確保符合車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)(AEC-Q101)或航天標(biāo)準(zhǔn)(MIL-STD)。
3、失效分析與優(yōu)化a)分析封裝失效模式(如分層、焊點疲勞、界面氧化),利用SEM、EDS、X射線檢測等工具定位根因。b)優(yōu)化PCB封裝材料(如Low-CTE基板、高導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂)與工藝參數(shù)(如焊接溫度曲線)。
4、跨領(lǐng)域協(xié)作a)與器件設(shè)計團隊合作,適配SiC芯片特性(如高頻開關(guān)、高dv/dt)到PCB封裝架構(gòu)。支持系統(tǒng)集成商解決SiC在PCB上的應(yīng)用問題(如EMI抑制、電源完整性)。


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